창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STD65N55LF3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STD65N55LF3 | |
| 기타 관련 문서 | STD65N55LF3 View All Specifications | |
| 제품 교육 모듈 | Automotive Grade Transistors and Discretes | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ III | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.5m옴 @ 32A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 110W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 497-10877-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STD65N55LF3 | |
| 관련 링크 | STD65N, STD65N55LF3 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 2PC4617RMB,315 | TRANS NPN 50V 0.1A 3DFN | 2PC4617RMB,315.pdf | |
![]() | TNPW1210324KBEEN | RES SMD 324K OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW1210324KBEEN.pdf | |
![]() | C2073. | C2073. FSC TO-220 | C2073..pdf | |
![]() | F6EB-1G9600-B2BE-Z | F6EB-1G9600-B2BE-Z FUJITSU SMD or Through Hole | F6EB-1G9600-B2BE-Z.pdf | |
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![]() | MURA2100T3G | MURA2100T3G ON DO-214AC | MURA2100T3G.pdf | |
![]() | M5M5256CVP-70LL | M5M5256CVP-70LL MIT TSSOP | M5M5256CVP-70LL.pdf | |
![]() | CP5573AM | CP5573AM PHILIPS SMD or Through Hole | CP5573AM.pdf | |
![]() | CD105N-100M | CD105N-100M MEC SMD | CD105N-100M.pdf | |
![]() | PCH1008 | PCH1008 ORIGINAL SMD or Through Hole | PCH1008.pdf | |
![]() | SUD70N03-04P-E3 | SUD70N03-04P-E3 VISHAY TO-252 | SUD70N03-04P-E3.pdf |