창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STD60NF06T4 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STD60NF06 | |
| 기타 관련 문서 | STD60NF06 View All Specifications | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1538 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ II | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 66nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1810pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 110W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 497-6195-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STD60NF06T4 | |
| 관련 링크 | STD60N, STD60NF06T4 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | MKP383324100JFP2B0 | 0.024µF Film Capacitor 350V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.236" W (17.50mm x 6.00mm) | MKP383324100JFP2B0.pdf | |
![]() | 0324020.VXP | FUSE CERM 20A 250VAC 125VDC 3AB | 0324020.VXP.pdf | |
![]() | P4KE27A | TVS DIODE 23.1VWM 37.5VC AXIAL | P4KE27A.pdf | |
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![]() | ATP107 | ATP107 ON TO-252 | ATP107.pdf | |
![]() | TB1226DNG | TB1226DNG TOSHIBA SMD or Through Hole | TB1226DNG.pdf | |
![]() | PA28F400BR-B80 | PA28F400BR-B80 INTEL SMD or Through Hole | PA28F400BR-B80.pdf | |
![]() | 2220B474K101CT | 2220B474K101CT NOVACAP SMD or Through Hole | 2220B474K101CT.pdf | |
![]() | APL431AEC | APL431AEC ANPEC TO-92 | APL431AEC.pdf | |
![]() | CT51264BC1339.16FR | CT51264BC1339.16FR CRUCIAL SMD or Through Hole | CT51264BC1339.16FR.pdf | |
![]() | US3GA | US3GA DIODES/VISHAY/FSC DO-214AC | US3GA.pdf |