창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STD60N55F3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx60N55F3 | |
| 기타 관련 문서 | STD60N55F3 View All Specifications | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1537 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ III | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.5m옴 @ 32A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 110W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 497-7972-2 STD60N55F3-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STD60N55F3 | |
| 관련 링크 | STD60N, STD60N55F3 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | STC11L04E-35I-DIP20 | STC11L04E-35I-DIP20 STC DIP20 | STC11L04E-35I-DIP20.pdf | |
![]() | M37470M2-501SP | M37470M2-501SP MITSUBIS DIP-32 | M37470M2-501SP.pdf | |
![]() | TC6503P005CT | TC6503P005CT MICROCHI SOT23-5 | TC6503P005CT.pdf | |
![]() | SB16-103J05C | SB16-103J05C FREE SMD or Through Hole | SB16-103J05C.pdf | |
![]() | TSC5302DCH | TSC5302DCH TSC TO-251 | TSC5302DCH.pdf | |
![]() | MAX6825WUK | MAX6825WUK MAXIM SOT23-5 | MAX6825WUK.pdf | |
![]() | LL41-100V | LL41-100V VISHAY LL41 | LL41-100V.pdf | |
![]() | 42C22-07G | 42C22-07G ORIGINAL SMD | 42C22-07G.pdf | |
![]() | SR08056R8MSB | SR08056R8MSB ABC SMD | SR08056R8MSB.pdf | |
![]() | QS74FCT845ATP | QS74FCT845ATP N/A SMD or Through Hole | QS74FCT845ATP.pdf | |
![]() | Z85230-10 | Z85230-10 N/A SMD or Through Hole | Z85230-10.pdf | |
![]() | LH52256-12LL | LH52256-12LL SHARP DIP28 | LH52256-12LL.pdf |