창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STD5NM50T4 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STD5NM50(-1) | |
기타 관련 문서 | STD5NM50 View All Specifications | |
카탈로그 페이지 | 1537 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 800m옴 @ 2.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 415pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 100W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 497-3162-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STD5NM50T4 | |
관련 링크 | STD5NM, STD5NM50T4 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | LQW15AN2N7B00D | 2.7nH Unshielded Wirewound Inductor 850mA 50 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | LQW15AN2N7B00D.pdf | |
![]() | S1A/11 | S1A/11 VISHAY SMD | S1A/11.pdf | |
![]() | ICB1FL02G. | ICB1FL02G. INFINEON SOP18 | ICB1FL02G..pdf | |
![]() | 2460C SL005 | 2460C SL005 ORIGINAL NEW | 2460C SL005.pdf | |
![]() | EW5116BI | EW5116BI intel SMD or Through Hole | EW5116BI.pdf | |
![]() | IRU024N | IRU024N IR TO-251 | IRU024N.pdf | |
![]() | MAX3074EASA+T | MAX3074EASA+T MAXIM SOP8 | MAX3074EASA+T.pdf | |
![]() | SWI0603CT1GR0J | SWI0603CT1GR0J NA SMD or Through Hole | SWI0603CT1GR0J.pdf | |
![]() | WE1C336M6L005 | WE1C336M6L005 samwha DIP-2 | WE1C336M6L005.pdf | |
![]() | LCMXO2-1200ZE-1MG132CR1 | LCMXO2-1200ZE-1MG132CR1 LATTICE SMD or Through Hole | LCMXO2-1200ZE-1MG132CR1.pdf |