창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STD5N60M2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx5N60M2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ II Plus | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4옴 @ 1.7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 211pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 45W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 497-14982-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STD5N60M2 | |
| 관련 링크 | STD5N, STD5N60M2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 416F4801XCLR | 48MHz ±10ppm 수정 12pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F4801XCLR.pdf | |
![]() | ADZPQT | ADZPQT ORIGINAL QFN20 | ADZPQT.pdf | |
![]() | HM3-65768BN-5 | HM3-65768BN-5 MHS DIP | HM3-65768BN-5.pdf | |
![]() | 74HC4078M | 74HC4078M ST SOP3.9 | 74HC4078M.pdf | |
![]() | 1152I | 1152I LINEAR SMD or Through Hole | 1152I.pdf | |
![]() | MA3X200FOL | MA3X200FOL PAN SOT-23 | MA3X200FOL.pdf | |
![]() | C1220JB1H103M | C1220JB1H103M TDK SMD or Through Hole | C1220JB1H103M.pdf | |
![]() | 930303-517 | 930303-517 ORIGINAL SMD or Through Hole | 930303-517.pdf | |
![]() | KS7334 | KS7334 ORIGINAL SMD or Through Hole | KS7334.pdf | |
![]() | S4B57096PJR | S4B57096PJR ORIGINAL SMD or Through Hole | S4B57096PJR.pdf | |
![]() | 1N4709 | 1N4709 PANJIT DO-35 | 1N4709.pdf | |
![]() | CIF12A07-A | CIF12A07-A SAURO Call | CIF12A07-A.pdf |