창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STD45N10F7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx45N10F7 | |
제품 교육 모듈 | Low Voltage Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 45A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 22.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1640pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 60W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 497-14532-2 STD45N10F7-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STD45N10F7 | |
관련 링크 | STD45N, STD45N10F7 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | TMK107F474ZA-T | 0.47µF 25V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | TMK107F474ZA-T.pdf | |
![]() | CRGV1206F121K | RES SMD 121K OHM 1% 1/4W 1206 | CRGV1206F121K.pdf | |
![]() | CRM2512-FX-49R9ELF | RES SMD 49.9 OHM 1% 2W 2512 | CRM2512-FX-49R9ELF.pdf | |
![]() | SE2568U-R | RF Amplifier IC 802.11b/g/n 2.4GHz ~ 2.5GHz 8-QFN (2x2) | SE2568U-R.pdf | |
![]() | TPS62561DCKRG4 | TPS62561DCKRG4 TI SOT-353 | TPS62561DCKRG4.pdf | |
![]() | 48218B10 | 48218B10 ORIGINAL SMD or Through Hole | 48218B10.pdf | |
![]() | TLP-DV007004 | TLP-DV007004 MCP SMD or Through Hole | TLP-DV007004.pdf | |
![]() | LS222M1J-2230 | LS222M1J-2230 X DIP | LS222M1J-2230.pdf | |
![]() | A260P | A260P ORIGINAL DIP-8 | A260P.pdf | |
![]() | SLN4532T-4R7M1R9-PF | SLN4532T-4R7M1R9-PF TDK SMD or Through Hole | SLN4532T-4R7M1R9-PF.pdf | |
![]() | NRC226K10R12 | NRC226K10R12 NEC SMD | NRC226K10R12.pdf | |
![]() | RTE002P02 TL/TW | RTE002P02 TL/TW ROHM SOT423 | RTE002P02 TL/TW.pdf |