STMicroelectronics STD3NK80ZT4

STD3NK80ZT4
제조업체 부품 번호
STD3NK80ZT4
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
데이터 시트 다운로드
다운로드
STD3NK80ZT4 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 514.47053
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 STD3NK80ZT4 재고가 있습니다. 우리는 STMicroelectronics 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 STMicroelectronics 전자 부품 전문. STD3NK80ZT4 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. STD3NK80ZT4가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
STD3NK80ZT4 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
STD3NK80ZT4 매개 변수
내부 부품 번호EIS-STD3NK80ZT4
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서STx3NK80Z(-1)
기타 관련 문서STD3NK80Z View All Specifications
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
카탈로그 페이지 1537 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체STMicroelectronics
계열SuperMESH™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)800V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C2.5A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs4.5옴 @ 1.25A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4.5V @ 50µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs19nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds485pF @ 25V
전력 - 최대70W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지D-Pak
표준 포장 2,500
다른 이름497-7968-2
STD3NK80ZT4-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)STD3NK80ZT4
관련 링크STD3NK, STD3NK80ZT4 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통
STD3NK80ZT4 의 관련 제품
0.056µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) BFC246753563.pdf
TRANSFORMER PE-67200.pdf
- RF Receiver AM, FM PCB, Surface Mount 32-SO TEF6621T/V1,518.pdf
ADM4185JR ADI SOP ADM4185JR.pdf
218S4RBSA12G(IXP460) ATI BGA 218S4RBSA12G(IXP460).pdf
13FLZ-RSM2-TB JST SMD or Through Hole 13FLZ-RSM2-TB.pdf
NJU7095R JRC SSOP NJU7095R.pdf
WB1C108M10020BB280 SAMWHA SMD or Through Hole WB1C108M10020BB280.pdf
S15C50C MOSPEC TO-220 S15C50C.pdf
NFI12J1R8TRF NICC SMD NFI12J1R8TRF.pdf