창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STD3NK80ZT4 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx3NK80Z(-1) | |
| 기타 관련 문서 | STD3NK80Z View All Specifications | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1537 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | SuperMESH™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5옴 @ 1.25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 50µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 485pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 70W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 497-7968-2 STD3NK80ZT4-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STD3NK80ZT4 | |
| 관련 링크 | STD3NK, STD3NK80ZT4 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
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![]() | R3218 | R3218 ORIGINAL QFN | R3218.pdf | |
![]() | UDZS5.1B(5.1V) | UDZS5.1B(5.1V) ROHM SMD or Through Hole | UDZS5.1B(5.1V).pdf | |
![]() | TX25-120P-6ST-H1E | TX25-120P-6ST-H1E JAE SMD or Through Hole | TX25-120P-6ST-H1E.pdf | |
![]() | H9731#50D | H9731#50D AVAGO ZIP-4 | H9731#50D.pdf | |
![]() | US22E332MTCPF | US22E332MTCPF HIT DIP | US22E332MTCPF.pdf |