창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STD3NK80Z-1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx3NK80Z(-1) | |
기타 관련 문서 | STD3NK80Z-1 View All Specifications | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | SuperMESH™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5옴 @ 1.25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 50µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 485pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 70W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
공급 장치 패키지 | I-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | 497-12557-5 STD3NK80Z-1-ND STD3NK80Z1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STD3NK80Z-1 | |
관련 링크 | STD3NK, STD3NK80Z-1 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | DAN217UMTL | DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD3F | DAN217UMTL.pdf | |
![]() | LBC2518T6R8M | 6.8µH Unshielded Wirewound Inductor 420mA 300 mOhm 1007 (2518 Metric) | LBC2518T6R8M.pdf | |
![]() | SER2011-122ML | SER2011-122ML CCF SMD or Through Hole | SER2011-122ML.pdf | |
![]() | XC5B-4423 | XC5B-4423 OMRON SMD or Through Hole | XC5B-4423.pdf | |
![]() | CSAC3.84MG-TC(3.84 | CSAC3.84MG-TC(3.84 MURATA 3X8-2P | CSAC3.84MG-TC(3.84.pdf | |
![]() | RA01L8693MA-101 | RA01L8693MA-101 ORIGINAL H58 | RA01L8693MA-101.pdf | |
![]() | DN16443 | DN16443 NECIOMEGA QFP | DN16443.pdf | |
![]() | ECA0JFG472 | ECA0JFG472 Panasonic DIP-2 | ECA0JFG472.pdf | |
![]() | EVM1DSX30B25 | EVM1DSX30B25 Panasonic SMD or Through Hole | EVM1DSX30B25.pdf | |
![]() | HYM8563-SOP8/MSOP8/DIP8 | HYM8563-SOP8/MSOP8/DIP8 ORIGINAL MSOP8 | HYM8563-SOP8/MSOP8/DIP8.pdf | |
![]() | MJ-29.500-16P | MJ-29.500-16P MEC SMD or Through Hole | MJ-29.500-16P.pdf | |
![]() | SAF281ME10N | SAF281ME10N MURATA SMD | SAF281ME10N.pdf |