창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STD3NK50Z-1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ST(D,Q)3NK50Z(R-AP,-1) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | SuperMESH™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.3옴 @ 1.15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 50µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 280pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 45W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
| 공급 장치 패키지 | I-Pak | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STD3NK50Z-1 | |
| 관련 링크 | STD3NK, STD3NK50Z-1 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 70F00000Z | FUSE CRTRDGE 250MA 125VAC/300VDC | 70F00000Z.pdf | |
![]() | 066301.6HXSL | FUSE BOARD MOUNT 1.6A 250VAC RAD | 066301.6HXSL.pdf | |
![]() | P600M-E3/54 | DIODE GEN PURP 1KV 6A P600 | P600M-E3/54.pdf | |
![]() | SDP611 | Pressure Sensor ± 0.072 PSI (±0.5kPa) Differential Male - 0.2" (5.2mm) Tube, Dual 16 b 3-SIP Module | SDP611.pdf | |
![]() | GAL 22V10D | GAL 22V10D L DIP24 | GAL 22V10D.pdf | |
![]() | RD3.0S-T1-B1 | RD3.0S-T1-B1 ROHM SMD or Through Hole | RD3.0S-T1-B1.pdf | |
![]() | AN1451T | AN1451T ORIGINAL TO-92 | AN1451T.pdf | |
![]() | LMK107SD123KA-B | LMK107SD123KA-B TAIYOYUDEN SMD or Through Hole | LMK107SD123KA-B.pdf | |
![]() | HGDEST021A | HGDEST021A ALPS SMD or Through Hole | HGDEST021A.pdf | |
![]() | MBM29DL640E80PFTN | MBM29DL640E80PFTN FUJITSU TSOPPb | MBM29DL640E80PFTN.pdf | |
![]() | DS1825U+PBF | DS1825U+PBF MAX/DALL SMD or Through Hole | DS1825U+PBF.pdf | |
![]() | ZWY87C-T1-4C-0-20 0805-W | ZWY87C-T1-4C-0-20 0805-W OSRAMOPTO SMD or Through Hole | ZWY87C-T1-4C-0-20 0805-W.pdf |