창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STD35N3LH5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STD35N3LH5 | |
제품 교육 모듈 | Automotive Grade Transistors and Discretes | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ V | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 725pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 35W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 497-10956-1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STD35N3LH5 | |
관련 링크 | STD35N, STD35N3LH5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | ASPI-0403-330K-T | 33µH Unshielded Wirewound Inductor 560mA 540 mOhm Max Nonstandard | ASPI-0403-330K-T.pdf | |
![]() | CRCW0603976KFKEB | RES SMD 976K OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW0603976KFKEB.pdf | |
![]() | 766143560GPTR13 | RES ARRAY 7 RES 56 OHM 14SOIC | 766143560GPTR13.pdf | |
![]() | IXE2412BEE B2 | IXE2412BEE B2 INTEL BGA | IXE2412BEE B2.pdf | |
![]() | LPC3220FET296-S | LPC3220FET296-S NXP SMD or Through Hole | LPC3220FET296-S.pdf | |
![]() | MAX7541KN | MAX7541KN MAX DIP 18 | MAX7541KN.pdf | |
![]() | IXGP30N60B4D1 | IXGP30N60B4D1 IXYS TO-220 | IXGP30N60B4D1.pdf | |
![]() | LTV818B | LTV818B LTV DIP4 | LTV818B.pdf | |
![]() | 416256-35T | 416256-35T ORIGINAL DIP/SMD | 416256-35T.pdf | |
![]() | PSDKMI18/2 | PSDKMI18/2 NXP SMD or Through Hole | PSDKMI18/2.pdf | |
![]() | MIC-351 | MIC-351 ORIGINAL SMD or Through Hole | MIC-351.pdf | |
![]() | OP191EP | OP191EP AD/PMI DIP8 | OP191EP.pdf |