창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STD30N6LF6AG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STD30N6LF6AG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, STripFET™ F6 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25m옴 @ 12A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 26nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1320pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 40W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 497-16302-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STD30N6LF6AG | |
관련 링크 | STD30N6, STD30N6LF6AG 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
RMCF1210FT2K80 | RES SMD 2.8K OHM 1% 1/3W 1210 | RMCF1210FT2K80.pdf | ||
HVC0805Z2506JET | RES SMD 250M OHM 5% 1/8W 0805 | HVC0805Z2506JET.pdf | ||
12.000000-16PF | 12.000000-16PF TXC SMD | 12.000000-16PF.pdf | ||
SCD0504T-821K-N | SCD0504T-821K-N CHILISIN NA | SCD0504T-821K-N.pdf | ||
CL160808T-10NL-N | CL160808T-10NL-N YAGEO SMD | CL160808T-10NL-N.pdf | ||
MIC2006-0.8YM6 | MIC2006-0.8YM6 MICREL SMD or Through Hole | MIC2006-0.8YM6.pdf | ||
CVXAEBGG151AA | CVXAEBGG151AA SANYO SMD or Through Hole | CVXAEBGG151AA.pdf | ||
CY7C429 | CY7C429 CY PLCC | CY7C429.pdf | ||
NRLF221M250V35X20F | NRLF221M250V35X20F NICC SMD or Through Hole | NRLF221M250V35X20F.pdf | ||
ECR100M25 | ECR100M25 HITANO DIP | ECR100M25.pdf |