창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STD27N3LH5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx27N3LH5 | |
카탈로그 페이지 | 1537 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ V | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 27A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 19m옴 @ 13.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.6nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 475pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 30W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 497-10019-1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STD27N3LH5 | |
관련 링크 | STD27N, STD27N3LH5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
EKMH201VNN471MA20T | 470µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 529 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | EKMH201VNN471MA20T.pdf | ||
SIHB8N50D-GE3 | MOSFET N-CH 500V 8.7A D2PAK | SIHB8N50D-GE3.pdf | ||
CMF551M9600FHEB | RES 1.96M OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF551M9600FHEB.pdf | ||
PROM1-585-2B | PROM1-585-2B ORIGINAL DIP16 | PROM1-585-2B.pdf | ||
MIC5203-4.7BM5TR | MIC5203-4.7BM5TR MIC SOT23-5 | MIC5203-4.7BM5TR.pdf | ||
TLP181GBT | TLP181GBT TOSHIBA SMD or Through Hole | TLP181GBT.pdf | ||
BD6382EFV | BD6382EFV ROHM SMD or Through Hole | BD6382EFV.pdf | ||
HIST-PAB | HIST-PAB ORIGINAL SSOP16 | HIST-PAB.pdf | ||
M30800FCGP U5 | M30800FCGP U5 RENESAS SMD or Through Hole | M30800FCGP U5.pdf | ||
F312118APPM | F312118APPM TI QFP-L208P | F312118APPM.pdf | ||
BB545E7906 | BB545E7906 INFINE SOD-323 | BB545E7906.pdf |