STMicroelectronics STD25N10F7

STD25N10F7
제조업체 부품 번호
STD25N10F7
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
데이터 시트 다운로드
다운로드
STD25N10F7 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
N/A
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 STD25N10F7 재고가 있습니다. 우리는 STMicroelectronics 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 STMicroelectronics 전자 부품 전문. STD25N10F7 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. STD25N10F7가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
STD25N10F7 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
STD25N10F7 매개 변수
내부 부품 번호EIS-STD25N10F7
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서STx25N10F7
제품 교육 모듈Low Voltage Power MOSFETs
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체STMicroelectronics
계열DeepGATE™, STripFET™ VII
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C25A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs35m옴 @ 12.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs14nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds920pF @ 50V
전력 - 최대40W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지DPAK
표준 포장 2,500
다른 이름497-14530-2
STD25N10F7-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)STD25N10F7
관련 링크STD25N, STD25N10F7 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통
STD25N10F7 의 관련 제품
470µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 7000 Hrs @ 105°C UHE1H471MPT.pdf
RES SMD 7.5 OHM 1% 1/4W 0805 MCR10EZHFL7R50.pdf
RES SMD 54.9K OHM 0.5% 1/8W 0805 RG2012N-5492-D-T5.pdf
Current Sensor 100A 1 Channel Hall Effect, Open Loop Bidirectional Module HAIS 100-P.pdf
ICS1839Y-10 ICS QFP-64 ICS1839Y-10.pdf
194E-A100TN Allen-Bradley SMD or Through Hole 194E-A100TN.pdf
MF1/4DCT52R3651F KOASPEERELECTRON SMD or Through Hole MF1/4DCT52R3651F.pdf
MAX811PESU MAXIM 4PINSOT143-4 MAX811PESU.pdf
CTML0805-R68M CntralTech NA CTML0805-R68M.pdf
FQPF3N80C=====FSC FSC TO-220F FQPF3N80C=====FSC.pdf
WLF2CL ORIGINAL SMD or Through Hole WLF2CL.pdf