창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STD24N06LT4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
PCN 단종/ EOL | Reactivation Notice 06/Jan/2012 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 45m옴 @ 10A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1140pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.36W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STD24N06LT4G | |
관련 링크 | STD24N0, STD24N06LT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 2-1879062-8 | 6.8µF Molded Tantalum Capacitors 10V 1206 (3216 Metric) 3 Ohm 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | 2-1879062-8.pdf | |
![]() | 161.6185.5207 | FUSE AUTOMOTIVE 20A 32VDC BLADE | 161.6185.5207.pdf | |
![]() | 0034.3993.PT | FUSE GLASS 2A 250VAC 5X20MM | 0034.3993.PT.pdf | |
![]() | P51-1000-S-J-P-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 1000 PSI (6894.76 kPa) Sealed Gauge Male - 3/8" (9.52mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-1000-S-J-P-4.5V-000-000.pdf | |
![]() | ASM-2.000MHZ-ET | ASM-2.000MHZ-ET ABRACON SMD | ASM-2.000MHZ-ET.pdf | |
![]() | 0202R2TCM | 0202R2TCM FUJITSU B-2.2UF20V | 0202R2TCM.pdf | |
![]() | PMB2306T-V2.1 | PMB2306T-V2.1 SOP SMD or Through Hole | PMB2306T-V2.1.pdf | |
![]() | CR41232076101 | CR41232076101 CR 7.2 18 | CR41232076101.pdf | |
![]() | INA210AIDRCKR | INA210AIDRCKR BB Original | INA210AIDRCKR.pdf | |
![]() | EN2-B1H2T | EN2-B1H2T NEC SMD or Through Hole | EN2-B1H2T.pdf | |
![]() | SSF6010 | SSF6010 SILIKRON TO-220 | SSF6010.pdf | |
![]() | N29J | N29J X SMD or Through Hole | N29J.pdf |