창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STD1NK60-1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx1(H)NK60(-1,R) | |
참조 설계 라이브러리 | STEVAL-ISB001V1: 1 Cell Charger using Discretes | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | SuperMESH™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.5옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 156pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 30W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
공급 장치 패키지 | I-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | 497-12782-5 STD1NK60-1-ND STD1NK601 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STD1NK60-1 | |
관련 링크 | STD1NK, STD1NK60-1 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | C3216C0G2A104K160AC | 0.10µF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C3216C0G2A104K160AC.pdf | |
![]() | GCM1555C1H8R7DA16D | 8.7pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GCM1555C1H8R7DA16D.pdf | |
![]() | Y116949R0000Q139R | RES SMD 49 OHM 0.02% 0.6W J LEAD | Y116949R0000Q139R.pdf | |
![]() | AT89C52RC2-CM | AT89C52RC2-CM ATMEL PLCC44 | AT89C52RC2-CM.pdf | |
![]() | BC847C/1GS | BC847C/1GS INF SOT-23 | BC847C/1GS.pdf | |
![]() | B116A | B116A FSC TO-220 | B116A.pdf | |
![]() | 380LB-1R2K | 380LB-1R2K TOKO SMD or Through Hole | 380LB-1R2K.pdf | |
![]() | FIC8120-352 | FIC8120-352 CYBERWIN BGA | FIC8120-352.pdf | |
![]() | AD9632BN | AD9632BN AD DIP-8 | AD9632BN.pdf | |
![]() | SFV10R-1STE1HLF | SFV10R-1STE1HLF FCI ROHS | SFV10R-1STE1HLF.pdf | |
![]() | FAR-C3CN-08000-G01-R(3*7) | FAR-C3CN-08000-G01-R(3*7) FUJITSU SMD or Through Hole | FAR-C3CN-08000-G01-R(3*7).pdf |