창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STD15NF10T4 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STD15NF10 | |
| 기타 관련 문서 | STD15NF10 View All Specifications | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1537 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ II | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 65m옴 @ 12A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 870pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 70W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 497-7958-2 STD15NF10T4-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STD15NF10T4 | |
| 관련 링크 | STD15N, STD15NF10T4 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D220JLBAJ | 22pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D220JLBAJ.pdf | |
![]() | V23101D 4A201 | General Purpose Relay SPDT (1 Form C) Through Hole | V23101D 4A201.pdf | |
![]() | RG1608P-1622-B-T5 | RES SMD 16.2KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RG1608P-1622-B-T5.pdf | |
![]() | RP73D2A115KBTDF | RES SMD 115K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RP73D2A115KBTDF.pdf | |
![]() | RP73D2B78K7BTDF | RES SMD 78.7K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RP73D2B78K7BTDF.pdf | |
![]() | Y16253K75000Q24W | RES SMD 3.75KOHM 0.02% 0.3W 1206 | Y16253K75000Q24W.pdf | |
![]() | SLSNNUR202TM | SLSNNUR202TM Samsung ChipLED | SLSNNUR202TM.pdf | |
![]() | CI2012D220J | CI2012D220J HKT SMD or Through Hole | CI2012D220J.pdf | |
![]() | TCO-711A-10MHZ | TCO-711A-10MHZ TOYOCOM SMD or Through Hole | TCO-711A-10MHZ.pdf | |
![]() | X810462-002 | X810462-002 INFINEON QFP | X810462-002.pdf |