창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STD12N65M5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx12N65M5 | |
제품 교육 모듈 | 5th Generation High Voltage Mosfet Technology | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ V | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 430m옴 @ 4.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 900pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 70W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 497-10568-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STD12N65M5 | |
관련 링크 | STD12N, STD12N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
251R15S0R4CV4E | 0.40pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.080" L x 0.050" W(2.03mm x 1.27mm) | 251R15S0R4CV4E.pdf | ||
ASTMHTV-48.000MHZ-AC-E-T3 | 48MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTV-48.000MHZ-AC-E-T3.pdf | ||
MLG0603S3N0CT000 | 3nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 300 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603S3N0CT000.pdf | ||
RG1608P-2101-D-T5 | RES SMD 2.1K OHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608P-2101-D-T5.pdf | ||
7MBP150RA060/7MBP150RA120 | 7MBP150RA060/7MBP150RA120 FUJI P610P611 | 7MBP150RA060/7MBP150RA120.pdf | ||
SC3037B350.00MHZ | SC3037B350.00MHZ RFM OSC | SC3037B350.00MHZ.pdf | ||
7164S20TPGI | 7164S20TPGI IDTIntegratedDev SMD or Through Hole | 7164S20TPGI.pdf | ||
T498D106M050ATE1K0 | T498D106M050ATE1K0 KEMET SMD or Through Hole | T498D106M050ATE1K0.pdf | ||
atsam3s4caau | atsam3s4caau atm SMD or Through Hole | atsam3s4caau.pdf | ||
FDB6670ASNL | FDB6670ASNL fairchild to-263 d2-pak | FDB6670ASNL.pdf | ||
PC120T-0UR-140 | PC120T-0UR-140 LEDTRONICS ROHS | PC120T-0UR-140.pdf |