홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » STD10NM60ND

STMicroelectronics STD10NM60ND

STD10NM60ND
제조업체 부품 번호
STD10NM60ND
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
데이터 시트 다운로드
다운로드
STD10NM60ND 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
N/A
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 STD10NM60ND 재고가 있습니다. 우리는 STMicroelectronics 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 STMicroelectronics 전자 부품 전문. STD10NM60ND 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. STD10NM60ND가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
STD10NM60ND 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
STD10NM60ND 매개 변수
내부 부품 번호EIS-STD10NM60ND
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서STx10NM60ND
기타 관련 문서STD10NM60ND View All Specifications
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체STMicroelectronics
계열FDmesh™ II
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C8A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs600m옴 @ 4A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs20nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds577pF @ 50V
전력 - 최대70W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지D-Pak
표준 포장 2,500
다른 이름497-12239-2
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)STD10NM60ND
관련 링크STD10N, STD10NM60ND 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통
STD10NM60ND 의 관련 제품
Red LED Indication - Discrete 1.9V 0805 (2012 Metric) 5973003402F.pdf
AD708J AD SMD or Through Hole AD708J.pdf
BH6022FV ROHM TSSOP BH6022FV.pdf
MLP1608VR47B TDK SMD or Through Hole MLP1608VR47B.pdf
1871602-2 TYCO SMD or Through Hole 1871602-2.pdf
16LF627T-04/SO MICROCHIP SMD or Through Hole 16LF627T-04/SO.pdf
BC817-25，215 NXP SMD or Through Hole BC817-25，215.pdf
PHP23N10 PHI TO-220 PHP23N10.pdf
D102L0H-10.240MHZ KDS SMD or Through Hole D102L0H-10.240MHZ.pdf
RL2010FK-07R05 YAGEO SMD or Through Hole RL2010FK-07R05.pdf
5KE200CA EIC/VISHAY DO-201 5KE200CA.pdf