창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STD100N10F7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ST(D,F,P)100N10F7 | |
기타 관련 문서 | STD100N10F7 View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | Low Voltage Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 61nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4369pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 120W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 497-13548-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STD100N10F7 | |
관련 링크 | STD100, STD100N10F7 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
EKMM401VSD681MA60S | 680µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | EKMM401VSD681MA60S.pdf | ||
MMST4401-7-F | TRANS NPN 40V 0.6A SC70-3 | MMST4401-7-F.pdf | ||
51F-712-001 | LC (Pi) EMI Filter 3rd Order Low Pass 1 Channel C = 3000pF 10A Axial, Bushing, 1 Turret Lead | 51F-712-001.pdf | ||
ST173S12PHK2L | ST173S12PHK2L IR SMD or Through Hole | ST173S12PHK2L.pdf | ||
HL6501MG08-A | HL6501MG08-A OPNEXT SMD or Through Hole | HL6501MG08-A.pdf | ||
X25138SO14 | X25138SO14 ORIGINAL SOP | X25138SO14.pdf | ||
SN74LVT162245BDGG | SN74LVT162245BDGG PHILIPS SMD or Through Hole | SN74LVT162245BDGG.pdf | ||
SDINB1-512 | SDINB1-512 SANDISK BGA | SDINB1-512.pdf | ||
TA-025TCMS3R3M-B2R | TA-025TCMS3R3M-B2R FUJITSU B | TA-025TCMS3R3M-B2R.pdf | ||
161-4320-E | 161-4320-E KOBICONN ORIGINAL | 161-4320-E.pdf | ||
25LC640A-I/MF | 25LC640A-I/MF MIC SMD or Through Hole | 25LC640A-I/MF.pdf | ||
53P6480 | 53P6480 ORIGINAL BGA | 53P6480.pdf |