창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STB9NK90Z | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx9NK90Z | |
| 기타 관련 문서 | STB9NK90Z View All Specifications | |
| 카탈로그 페이지 | 1537 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | SuperMESH™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.3옴 @ 3.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 72nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2115pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 160W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 497-7955-2 STB9NK90Z-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STB9NK90Z | |
| 관련 링크 | STB9N, STB9NK90Z 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 0874.300MXEP | FUSE CERAMIC 300MA 250VAC AXIAL | 0874.300MXEP.pdf | |
![]() | CS160808-R15K | 150nH Shielded Multilayer Inductor 200mA 350 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | CS160808-R15K.pdf | |
![]() | TA303PA2K50JE | RES 2.5K OHM 3W 5% RADIAL | TA303PA2K50JE.pdf | |
![]() | UPD78F0483GK-GAK-AX | UPD78F0483GK-GAK-AX NEC LQFP | UPD78F0483GK-GAK-AX.pdf | |
![]() | SM2902K2 | SM2902K2 SIE DIP-40 | SM2902K2.pdf | |
![]() | MBM27C256A-20CZ-G | MBM27C256A-20CZ-G FUJITSU CDIP28 | MBM27C256A-20CZ-G.pdf | |
![]() | L200CU | L200CU ORIGINAL CMD | L200CU.pdf | |
![]() | XC68HC11F1B4OF17V | XC68HC11F1B4OF17V MOT DIP | XC68HC11F1B4OF17V.pdf | |
![]() | PA16S01-03-3 | PA16S01-03-3 Logical Onlyoriginal | PA16S01-03-3.pdf | |
![]() | 8355M20 | 8355M20 ORIGINAL SOT23-5 | 8355M20.pdf | |
![]() | HY57V658020CTC-7 | HY57V658020CTC-7 HYNIX TSOP | HY57V658020CTC-7.pdf | |
![]() | DFD05TE | DFD05TE Sanyo N A | DFD05TE.pdf |