창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STB9NK60ZT4 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ST(B,P)9NK60Z(FP,-1) | |
기타 관련 문서 | STB9NK60Z View All Specifications | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | SuperMESH™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 950m옴 @ 3.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 53nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1110pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 125W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 497-12544-2 STB9NK60ZT4-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STB9NK60ZT4 | |
관련 링크 | STB9NK, STB9NK60ZT4 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | GRM31A5C2J391JW01D | 390pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | GRM31A5C2J391JW01D.pdf | |
![]() | C3216X5R1A225M/0.85 | 2.2µF 10V 세라믹 커패시터 X5R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C3216X5R1A225M/0.85.pdf | |
![]() | VJ0402D390MLAAP | 39pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D390MLAAP.pdf | |
![]() | IPR250N | IPR250N IR TO-3P | IPR250N.pdf | |
![]() | PK90GB | PK90GB SANREX 90A 400 800V | PK90GB.pdf | |
![]() | CR4339 | CR4339 CR dip8 | CR4339.pdf | |
![]() | HDL4F23CFQ 301 | HDL4F23CFQ 301 HIT SMD or Through Hole | HDL4F23CFQ 301.pdf | |
![]() | PW5348-RCT | PW5348-RCT PWC SMD or Through Hole | PW5348-RCT.pdf | |
![]() | AD705JN | AD705JN ORIGINAL DIP | AD705JN .pdf | |
![]() | L255NV | L255NV ORIGINAL SMD or Through Hole | L255NV.pdf | |
![]() | VTP200U | VTP200U Raychem SMD or Through Hole | VTP200U.pdf | |
![]() | M16AL | M16AL HA LCC | M16AL.pdf |