창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STB8N65M5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx8N65M5 | |
기타 관련 문서 | STB8N65M5 View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | 5th Generation High Voltage Mosfet Technology | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ V | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 3.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 690pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 70W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 497-10875-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STB8N65M5 | |
관련 링크 | STB8N, STB8N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
PC0200BJ50136BG1 | 500pF 15000V(15kV) 세라믹 커패시터 R16 디스크, 금속 피팅 - 스레딩 7.874" Dia(200.00mm) | PC0200BJ50136BG1.pdf | ||
B88069X820T502 | GDT 400V 20% 2.5KA THROUGH HOLE | B88069X820T502.pdf | ||
2826981 | RELAY GEN PUR | 2826981.pdf | ||
AC0805FR-07634RL | RES SMD 634 OHM 1% 1/8W 0805 | AC0805FR-07634RL.pdf | ||
G5V-1 DC5 | G5V-1 DC5 ORIGINAL DIP | G5V-1 DC5.pdf | ||
SCP6F11-A1-ZWE | SCP6F11-A1-ZWE FIBERXON SMD or Through Hole | SCP6F11-A1-ZWE.pdf | ||
HI2010 | HI2010 HAIE QFP | HI2010.pdf | ||
SC05-3F470HR | SC05-3F470HR ORIGINAL SMD | SC05-3F470HR.pdf | ||
78F9136B | 78F9136B ORIGINAL TSSOP30 | 78F9136B.pdf | ||
FFC-32AMEP1 | FFC-32AMEP1 HONDA SMD or Through Hole | FFC-32AMEP1.pdf | ||
FU-61/Z | FU-61/Z ORIGINAL SMD or Through Hole | FU-61/Z.pdf | ||
S71PL129JB | S71PL129JB QUALCOMM IC | S71PL129JB.pdf |