창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STB80NF03L-04T4 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STB80NF03L-04T4 | |
| 기타 관련 문서 | STB80NF03L-04T4 View All Specifications | |
| 제품 교육 모듈 | Automotive Grade Transistors and Discretes | |
| 카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ II | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 40A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5500pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -60°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 497-7952-2 STB80NF03L-04T4-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STB80NF03L-04T4 | |
| 관련 링크 | STB80NF03, STB80NF03L-04T4 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
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![]() | RC5534ADE | RC5534ADE RAY DIP | RC5534ADE.pdf | |
![]() | 20-000-1536-00 | 20-000-1536-00 Mini NA | 20-000-1536-00.pdf | |
![]() | 2SJ559 | 2SJ559 NEC SMD or Through Hole | 2SJ559.pdf | |
![]() | SN74AHC373DBR(AH373) | SN74AHC373DBR(AH373) TI SMD or Through Hole | SN74AHC373DBR(AH373).pdf | |
![]() | XRD15027FN | XRD15027FN XP SMD or Through Hole | XRD15027FN.pdf | |
![]() | CY7C184-35JC | CY7C184-35JC CYPRESS PLCC | CY7C184-35JC.pdf |