창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STB80N4F6AG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Spice Model Tutorial for Power MOSFETS STB80N4F6AG Datasheet | |
애플리케이션 노트 | AN3267 Appl Note AN4191 Appl Note AN4390 Appl Note The Avalanche Issue | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2150pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 70W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK(TO-263) | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 497-16506-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STB80N4F6AG | |
관련 링크 | STB80N, STB80N4F6AG 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | NC4-L2PS | Relay Socket Through Hole | NC4-L2PS.pdf | |
![]() | Q148 | Q148 AD SOT23-5 | Q148.pdf | |
![]() | ICS8302AM-01LF | ICS8302AM-01LF IDT 8 SOIC (LEAD-FREE) | ICS8302AM-01LF.pdf | |
![]() | 74AHCT1G08DBVRE4 | 74AHCT1G08DBVRE4 TI SOT23-5 | 74AHCT1G08DBVRE4.pdf | |
![]() | EP3SL150F1152C2 | EP3SL150F1152C2 ALTERA SMD or Through Hole | EP3SL150F1152C2.pdf | |
![]() | CDCE949QPWRQ1 | CDCE949QPWRQ1 TI SMD or Through Hole | CDCE949QPWRQ1.pdf | |
![]() | ADL555ACC | ADL555ACC AD QFN | ADL555ACC.pdf | |
![]() | 201R14C1R2BV4T | 201R14C1R2BV4T JOHANSON SMD or Through Hole | 201R14C1R2BV4T.pdf | |
![]() | P8AU-0515ELF | P8AU-0515ELF PEAK SIP-4 | P8AU-0515ELF.pdf | |
![]() | D9076S2001VP | D9076S2001VP NEC BGA | D9076S2001VP.pdf | |
![]() | IX2686 | IX2686 SHARP SOP8 | IX2686.pdf | |
![]() | LTV814A-V | LTV814A-V LITE-ON SMD or Through Hole | LTV814A-V.pdf |