STMicroelectronics STB7NK80ZT4

STB7NK80ZT4
제조업체 부품 번호
STB7NK80ZT4
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
데이터 시트 다운로드
다운로드
STB7NK80ZT4 가격 및 조달

가능 수량

10550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,074.90240
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 STB7NK80ZT4 재고가 있습니다. 우리는 STMicroelectronics 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 STMicroelectronics 전자 부품 전문. STB7NK80ZT4 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. STB7NK80ZT4가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
STB7NK80ZT4 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
STB7NK80ZT4 매개 변수
내부 부품 번호EIS-STB7NK80ZT4
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서ST(B,P)7NK80Z(-1,FP)
기타 관련 문서STB7NK80Z View All Specifications
카탈로그 페이지 1537 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체STMicroelectronics
계열SuperMESH™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)800V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C5.2A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.8옴 @ 2.6A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4.5V @ 100µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs56nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1138pF @ 25V
전력 - 최대125W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지D2PAK
표준 포장 1,000
다른 이름497-6557-2
STB7NK80ZT4-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)STB7NK80ZT4
관련 링크STB7NK, STB7NK80ZT4 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통
STB7NK80ZT4 의 관련 제품
DIODE SCHOTTKY 30V 3A MFLAT CMS03(TE12L,Q,M).pdf
DIODE ZENER 51V 1W DO216 1PMT4126/TR7.pdf
RES SMD 8.87K OHM 1W 1206 WIDE PRG3216P-8871-B-T5.pdf
TDA3506 PHI DIP-28 TDA3506.pdf
S-2012 infineon SOP-8 S-2012.pdf
MAX4167ESA-T MAXIM SOP8 MAX4167ESA-T.pdf
UDZS15B ROHM SOD-323 UDZS15B .pdf
RCH109NP-680K SUMIDA DIP RCH109NP-680K.pdf
LZ15103-C24 FOXCONN SMD or Through Hole LZ15103-C24.pdf
7688 LF DCRES TSOP 7688 LF.pdf