창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STB7NK80Z-1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ST(B,P)7NK80Z(-1,FP) | |
기타 관련 문서 | STB7NK80Z-1 View All Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | SuperMESH™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.8옴 @ 2.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 56nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1138pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 125W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | I2PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-12539-5 STB7NK80Z-1-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STB7NK80Z-1 | |
관련 링크 | STB7NK, STB7NK80Z-1 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | SIT8008BC-13-33E-16.500000E | OSC XO 3.3V 16.5MHZ | SIT8008BC-13-33E-16.500000E.pdf | |
![]() | ERJ-S08F5111V | RES SMD 5.11K OHM 1% 1/4W 1206 | ERJ-S08F5111V.pdf | |
![]() | RT0603CRC07360RL | RES SMD 360 OHM 0.25% 1/10W 0603 | RT0603CRC07360RL.pdf | |
![]() | MB672611U | MB672611U FUJ DIP | MB672611U.pdf | |
![]() | TLP321-4G | TLP321-4G Isocom SMD or Through Hole | TLP321-4G.pdf | |
![]() | R1130H151A-T1-FB | R1130H151A-T1-FB PICOH SOP6 | R1130H151A-T1-FB.pdf | |
![]() | SK12429LV | SK12429LV SEMTECH PLCC28 | SK12429LV.pdf | |
![]() | VC5021-0001CQQ | VC5021-0001CQQ VLSI PLCC84 | VC5021-0001CQQ.pdf | |
![]() | S15-S350 | S15-S350 ORIGINAL SMD or Through Hole | S15-S350.pdf | |
![]() | 7M24000030 | 7M24000030 TXC SMD | 7M24000030.pdf | |
![]() | R1271NS10E | R1271NS10E WESTCODE SMD or Through Hole | R1271NS10E.pdf | |
![]() | TND318 | TND318 ORIGINAL SOP-8 | TND318.pdf |