창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STB7N52K3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ST(B,D,F,P)7N52K3 | |
| 카탈로그 페이지 | 1537 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | SuperMESH3™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 525V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 980m옴 @ 3.1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 50µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 34nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 737pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 90W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 497-10023-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STB7N52K3 | |
| 관련 링크 | STB7N, STB7N52K3 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | BFC237590513 | 0.02µF Film Capacitor 600V 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.181" L x 0.492" W (30.00mm x 12.50mm) | BFC237590513.pdf | |
![]() | ZP-5MH+ | ZP-5MH+ MINI SMD or Through Hole | ZP-5MH+.pdf | |
![]() | C2012B0J475KC | C2012B0J475KC TDK SMD or Through Hole | C2012B0J475KC.pdf | |
![]() | 51751-1 | 51751-1 TYCO con | 51751-1.pdf | |
![]() | RF5345TR7 | RF5345TR7 RFMD QFN-16 | RF5345TR7.pdf | |
![]() | 3.0X-DZD3.OX-TA | 3.0X-DZD3.OX-TA TOSHIBA SOT23 | 3.0X-DZD3.OX-TA.pdf | |
![]() | 2SA1313 ACO | 2SA1313 ACO ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SA1313 ACO.pdf | |
![]() | AME8570AEETAE18Z | AME8570AEETAE18Z AME SOT23 | AME8570AEETAE18Z.pdf | |
![]() | THJB684M035RJN | THJB684M035RJN AVX B | THJB684M035RJN.pdf | |
![]() | kpbva-3010surkm | kpbva-3010surkm kbe SMD or Through Hole | kpbva-3010surkm.pdf | |
![]() | PS2501C-1-E3-A | PS2501C-1-E3-A NEC SMD or Through Hole | PS2501C-1-E3-A.pdf |