창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STB6N65K3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | - | |
| 포장 | - | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | - | |
| FET 특징 | - | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | - | |
| 패키지/케이스 | - | |
| 공급 장치 패키지 | - | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STB6N65K3 | |
| 관련 링크 | STB6N, STB6N65K3 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | GRM1885C1H7R0DA01J | 7pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1885C1H7R0DA01J.pdf | |
![]() | SD25-820-R | 82µH Shielded Wirewound Inductor 713mA 524.2 mOhm Nonstandard | SD25-820-R.pdf | |
![]() | TNPW120634R0BEEN | RES SMD 34 OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW120634R0BEEN.pdf | |
![]() | H4340KBDA | RES 340K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H4340KBDA.pdf | |
![]() | H4232RBYA | RES 232 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H4232RBYA.pdf | |
![]() | MBC13720NT1 | RF Amplifier IC General Purpose 2.4GHz SOT-363 | MBC13720NT1.pdf | |
![]() | U632H16DB | U632H16DB ZMD DIP28 | U632H16DB.pdf | |
![]() | SN74LVC1G66DCKR(C6B) | SN74LVC1G66DCKR(C6B) TI SOT353 | SN74LVC1G66DCKR(C6B).pdf | |
![]() | 63YXA47M6.3X1 | 63YXA47M6.3X1 ORIGINAL SMD or Through Hole | 63YXA47M6.3X1.pdf | |
![]() | MM3376A11NRE | MM3376A11NRE MITSUMI SOT-23 | MM3376A11NRE.pdf | |
![]() | RX1C108M10020CA180 | RX1C108M10020CA180 SAMWHA SMD or Through Hole | RX1C108M10020CA180.pdf |