창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STB6N52K3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ST(B,D,F,P)6N52K3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | SuperMESH3™ | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 525V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 2.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 50µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 26nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 670pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 70W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 497-11212-1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STB6N52K3 | |
관련 링크 | STB6N, STB6N52K3 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | VJ0603D680MXBAT | 68pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D680MXBAT.pdf | |
![]() | T86E107M016ESSS | 100µF Molded Tantalum Capacitors 16V 2917 (7343 Metric) 600 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T86E107M016ESSS.pdf | |
![]() | SIT9003AC-24-33ED-16.00000T | OSC XO 3.3V 16MHZ OE 0.50% | SIT9003AC-24-33ED-16.00000T.pdf | |
![]() | ERJ-S12F9093U | RES SMD 909K OHM 1% 3/4W 1812 | ERJ-S12F9093U.pdf | |
![]() | SLP3020P | SLP3020P GIE TO-3P | SLP3020P.pdf | |
![]() | MPSA13RLRA | MPSA13RLRA ON TO-92 (TO-226) 5.33m | MPSA13RLRA.pdf | |
![]() | CD1051 | CD1051 ST SMD or Through Hole | CD1051.pdf | |
![]() | A993AS-270M | A993AS-270M TOKO SMD or Through Hole | A993AS-270M.pdf | |
![]() | LNK506P/G/D | LNK506P/G/D POWER DIP7 | LNK506P/G/D.pdf | |
![]() | MBR2060CT-E3/4 | MBR2060CT-E3/4 VISHAY TO-220 | MBR2060CT-E3/4.pdf |