창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STB4NK60ZT4 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx4NK60Z(FP,-1) | |
| 기타 관련 문서 | STB4NK60Z View All Specifications | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1537 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | SuperMESH™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2옴 @ 2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 50µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 26nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 510pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 70W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 497-2486-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STB4NK60ZT4 | |
| 관련 링크 | STB4NK, STB4NK60ZT4 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
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![]() | BH074D0105J-- | 1µF Film Capacitor 40V 63V Polyester, Metallized Radial 0.295" L x 0.197" W (7.50mm x 5.00mm) | BH074D0105J--.pdf | |
![]() | ISC1812ES1R8K | 1.8µH Shielded Wirewound Inductor 403mA 430 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812ES1R8K.pdf | |
![]() | DP11SHN15A20F | DP11S HOR 15P NDET 20F M7*5MM | DP11SHN15A20F.pdf | |
![]() | HCD40105BF3A | HCD40105BF3A HAR DIP16 | HCD40105BF3A.pdf | |
![]() | 54F93 | 54F93 TI DIP | 54F93.pdf | |
![]() | 1221SYGCS530E2T | 1221SYGCS530E2T EVL SMD or Through Hole | 1221SYGCS530E2T.pdf | |
![]() | SGA-5286 | SGA-5286 SIRENZA SO86 | SGA-5286.pdf | |
![]() | 1N4248JAN | 1N4248JAN MSC SMD or Through Hole | 1N4248JAN.pdf | |
![]() | EVM1ESX30BQ3 | EVM1ESX30BQ3 PANASONIC SMD | EVM1ESX30BQ3.pdf | |
![]() | 962 A2 | 962 A2 SIS BGA | 962 A2.pdf |