창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STB45N40DM2AG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STB45N40DM2AG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, MDmesh™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 38A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 72m옴 @ 19A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 56nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2600pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 497-16133-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STB45N40DM2AG | |
관련 링크 | STB45N4, STB45N40DM2AG 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | CMF50250R00FEEK | RES 250 OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF50250R00FEEK.pdf | |
![]() | CA0001100R0JR05 | RES 100 OHM 1W 5% AXIAL | CA0001100R0JR05.pdf | |
![]() | ZXT13N50DE6TC | ZXT13N50DE6TC ZETEX SOT23-6 | ZXT13N50DE6TC.pdf | |
![]() | ADSP2188MBST-266 | ADSP2188MBST-266 AD QFP | ADSP2188MBST-266.pdf | |
![]() | RB751H-40(CH751H-4 | RB751H-40(CH751H-4 CHENMKO SOD323 | RB751H-40(CH751H-4.pdf | |
![]() | BC80840,E6327 | BC80840,E6327 INFINEON SMD or Through Hole | BC80840,E6327.pdf | |
![]() | 70-2R-1C-5.5 | 70-2R-1C-5.5 Littelfuse SMD or Through Hole | 70-2R-1C-5.5.pdf | |
![]() | PTLK2226SGEA | PTLK2226SGEA TIS Call | PTLK2226SGEA.pdf | |
![]() | 23-8000-315-100-010 | 23-8000-315-100-010 ATI SMD or Through Hole | 23-8000-315-100-010.pdf | |
![]() | S1N5614US | S1N5614US MICROSEMI SMD | S1N5614US.pdf | |
![]() | PBSS5320X135 | PBSS5320X135 NXP SMD or Through Hole | PBSS5320X135.pdf |