창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STB42N65M5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx42N65M5 | |
| 기타 관련 문서 | STB42N65M5 View All Specifications | |
| 제품 교육 모듈 | 5th Generation High Voltage Mosfet Technology | |
| 주요제품 | MDmesh V Series Mosfets | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ V | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 33A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 79m옴 @ 16.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 100nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4650pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 190W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 497-8769-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STB42N65M5 | |
| 관련 링크 | STB42N, STB42N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 0230.350MRT1SSP | FUSE GLASS 350MA 250VAC 125VDC | 0230.350MRT1SSP.pdf | |
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![]() | KST01-10 | KST01-10 ORIGINAL SMD or Through Hole | KST01-10.pdf | |
![]() | CAAD | CAAD ORIGINAL QFN8 | CAAD.pdf | |
![]() | EP20K600FC672AA | EP20K600FC672AA ALTERA BGA | EP20K600FC672AA.pdf | |
![]() | FDG6318PZ TEL:82766440 | FDG6318PZ TEL:82766440 FAIRCHILD SMD or Through Hole | FDG6318PZ TEL:82766440.pdf |