창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STB42N65M5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx42N65M5 | |
기타 관련 문서 | STB42N65M5 View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | 5th Generation High Voltage Mosfet Technology | |
주요제품 | MDmesh V Series Mosfets | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ V | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 33A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 79m옴 @ 16.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 100nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4650pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 190W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 497-8769-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STB42N65M5 | |
관련 링크 | STB42N, STB42N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | SIT8009AC-82-18E-133.333333Y | OSC XO 1.8V 133.333333MHZ OE | SIT8009AC-82-18E-133.333333Y.pdf | |
![]() | AUIRF1010EZSTRL | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | AUIRF1010EZSTRL.pdf | |
![]() | H410R2BDA | RES 10.2 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H410R2BDA.pdf | |
![]() | MLH300PSL06A | Pressure Sensor 300 PSI (2068.43 kPa) Sealed Gauge Male - 1/8" (3.18mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder, Metal | MLH300PSL06A.pdf | |
![]() | LTM4608AIV#TRPBF | LTM4608AIV#TRPBF LINEAR 2010 | LTM4608AIV#TRPBF.pdf | |
![]() | TC4427AEOA-G | TC4427AEOA-G MICROCHIPTECHNOLOGYINC SMD or Through Hole | TC4427AEOA-G.pdf | |
![]() | MM3Z8V2T1G-ON | MM3Z8V2T1G-ON ORIGINAL SMD or Through Hole | MM3Z8V2T1G-ON.pdf | |
![]() | FQP7N30 | FQP7N30 F SMD or Through Hole | FQP7N30.pdf | |
![]() | MCM1458 | MCM1458 Q-TECH SMD or Through Hole | MCM1458.pdf | |
![]() | 054037-0347 | 054037-0347 molex BTB-0.5-30 | 054037-0347.pdf | |
![]() | 85928100-03 | 85928100-03 ORIGINAL SOP20 | 85928100-03.pdf |