창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STB40N60M2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx40N60M2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ II Plus | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 34A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 88m옴 @ 17A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 57nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2500pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 497-14963-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STB40N60M2 | |
| 관련 링크 | STB40N, STB40N60M2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | RC0402FR-072R21L | RES SMD 2.21 OHM 1% 1/16W 0402 | RC0402FR-072R21L.pdf | |
![]() | RG2012P-1401-B-T5 | RES SMD 1.4K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012P-1401-B-T5.pdf | |
![]() | CX-411A-C05 | SENSOR PROXIMITY NPN 10M 12-24V | CX-411A-C05.pdf | |
![]() | E3S-2E4-M1J 0.3M | PHOTO THRU-BEAM METAL CONN | E3S-2E4-M1J 0.3M.pdf | |
![]() | 74HC245(DIP) | 74HC245(DIP) HIT DIP | 74HC245(DIP).pdf | |
![]() | 2N5162 | 2N5162 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2N5162.pdf | |
![]() | UPD16320 | UPD16320 NEC QFP | UPD16320.pdf | |
![]() | LTV-817M-CM | LTV-817M-CM LITEON DIP4 | LTV-817M-CM.pdf | |
![]() | 75586-0006 | 75586-0006 MOLEX SMD or Through Hole | 75586-0006.pdf | |
![]() | WS27C010L-12LMB | WS27C010L-12LMB WSI JLCC | WS27C010L-12LMB.pdf | |
![]() | TX2-L2-5VDC | TX2-L2-5VDC ORIGINAL DIP | TX2-L2-5VDC.pdf | |
![]() | SE3506ES5 | SE3506ES5 SEC SOT23-5 | SE3506ES5.pdf |