창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STB3N62K3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx3N62K3 | |
| 카탈로그 페이지 | 1537 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | SuperMESH3™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 620V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.5옴 @ 1.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 50µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 385pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 45W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 497-8476-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STB3N62K3 | |
| 관련 링크 | STB3N, STB3N62K3 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | MCR18ERTF9100 | RES SMD 910 OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18ERTF9100.pdf | |
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![]() | sc9803/CSC9803GP | sc9803/CSC9803GP ORIGINAL DIP16 | sc9803/CSC9803GP.pdf | |
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![]() | AJ330-4T-SMT | AJ330-4T-SMT ORIGINAL SMD or Through Hole | AJ330-4T-SMT.pdf | |
![]() | 2SJ475-01 | 2SJ475-01 FUJI TO-220 | 2SJ475-01.pdf | |
![]() | UG1001-T | UG1001-T DIODES DO41 | UG1001-T.pdf | |
![]() | 74HC40538D | 74HC40538D PHI SOP | 74HC40538D.pdf | |
![]() | 29LTD11600-00 | 29LTD11600-00 GCOBRA DIP | 29LTD11600-00.pdf |