창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STB33N65M2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx33N65M2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ M2 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 140m옴 @ 12A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 41.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1790pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 190W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 497-15457-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STB33N65M2 | |
| 관련 링크 | STB33N, STB33N65M2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
| P4KE550A-G | TVS DIODE 470.3VWM 759VC DO41 | P4KE550A-G.pdf | ||
![]() | PAT0603E2231BST1 | RES SMD 2.23KOHM 0.1% 0.15W 0603 | PAT0603E2231BST1.pdf | |
![]() | CAT24C16WI-G3 | CAT24C16WI-G3 CATALYST SMD or Through Hole | CAT24C16WI-G3.pdf | |
![]() | HVU306A7TRU-E | HVU306A7TRU-E HITACHI SOD-323 | HVU306A7TRU-E.pdf | |
![]() | 2SJ316 / JC | 2SJ316 / JC SANYO SOT-89 | 2SJ316 / JC.pdf | |
![]() | STV6400DT | STV6400DT TI SMD | STV6400DT.pdf | |
![]() | 100MXC4700M35X45 | 100MXC4700M35X45 RUBYCON DIP | 100MXC4700M35X45.pdf | |
![]() | F101 | F101 FUJITSU DIP-8 | F101.pdf | |
![]() | LM109CH | LM109CH NS CAN | LM109CH.pdf | |
![]() | SST49LF002-33-4C-NHE | SST49LF002-33-4C-NHE SST PLCC-32 | SST49LF002-33-4C-NHE.pdf | |
![]() | RCA12-473015 | RCA12-473015 ORIGINAL SMD or Through Hole | RCA12-473015.pdf | |
![]() | 25TTS12FPPBF | 25TTS12FPPBF VISHAY TO-220 | 25TTS12FPPBF.pdf |