창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STB33N60M2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STB33N60M2 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ II Plus | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 26A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 125m옴 @ 13A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1781pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 190W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 497-14973-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STB33N60M2 | |
관련 링크 | STB33N, STB33N60M2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | 416F30025AAT | 30MHz ±20ppm 수정 10pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F30025AAT.pdf | |
![]() | Y1169203R600B0R | RES SMD 203.6 OHM 0.6W 3017 | Y1169203R600B0R.pdf | |
![]() | HD2508P1J | HD2508P1J HI DIP-14 | HD2508P1J.pdf | |
![]() | TVX2A470MCD | TVX2A470MCD NICHICON DIP | TVX2A470MCD.pdf | |
![]() | ADE7169F16 | ADE7169F16 FCI SMD or Through Hole | ADE7169F16.pdf | |
![]() | BC848-C-RTK | BC848-C-RTK KEC SMD or Through Hole | BC848-C-RTK.pdf | |
![]() | NL17VHC1G07DTT1 | NL17VHC1G07DTT1 ONSEMICONDUCTOR SMD or Through Hole | NL17VHC1G07DTT1.pdf | |
![]() | 0603N1R0B101LC | 0603N1R0B101LC ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603N1R0B101LC.pdf | |
![]() | ZP5A | ZP5A ORIGINAL SMD or Through Hole | ZP5A.pdf | |
![]() | K4S281632HUC60 | K4S281632HUC60 PLX N A | K4S281632HUC60.pdf | |
![]() | PA001040-32 | PA001040-32 IC SMD or Through Hole | PA001040-32.pdf | |
![]() | SC4501MSETRT | SC4501MSETRT SEMTECH SMD or Through Hole | SC4501MSETRT.pdf |