창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STB30NF10T4 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ST(B,P)30NF10(FP) | |
기타 관련 문서 | STB30NF10 View All Specifications | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ II | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 45m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 55nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1180pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 115W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 497-6550-2 STB30NF10T4-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STB30NF10T4 | |
관련 링크 | STB30N, STB30NF10T4 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
VJ0603D241KXAAR | 240pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D241KXAAR.pdf | ||
AQ14EM511FAJBE | 510pF 150V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | AQ14EM511FAJBE.pdf | ||
ABLS-27.000MHZ-L4QF-T | 27MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -55°C ~ 125°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ABLS-27.000MHZ-L4QF-T.pdf | ||
20J560E | RES 560 OHM 10W 5% AXIAL | 20J560E.pdf | ||
7350Q | 7350Q TI SOP8 | 7350Q.pdf | ||
VSH 293D226X9016C2TE3 | VSH 293D226X9016C2TE3 Vishay SMD or Through Hole | VSH 293D226X9016C2TE3.pdf | ||
M5I422IA-3 | M5I422IA-3 NO SOJ | M5I422IA-3.pdf | ||
OED-EL507F3C50/LT | OED-EL507F3C50/LT LUM SMD or Through Hole | OED-EL507F3C50/LT.pdf | ||
ACA0862D | ACA0862D ANADIGICS SOP-16 | ACA0862D.pdf | ||
TC7WZ08FK(T5L | TC7WZ08FK(T5L TOSHIBA SMD or Through Hole | TC7WZ08FK(T5L.pdf | ||
FEP10FT | FEP10FT VISHAY TO-220 | FEP10FT.pdf | ||
PK250F160 | PK250F160 ORIGINAL SanRex | PK250F160.pdf |