창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STB28NM60ND | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx28NM60ND | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | FDmesh™ II | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 150m옴 @ 11.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 62.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2090pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 190W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 497-14238-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STB28NM60ND | |
관련 링크 | STB28N, STB28NM60ND 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | TC164-FR-07196KL | RES ARRAY 4 RES 196K OHM 1206 | TC164-FR-07196KL.pdf | |
![]() | 01HC08N330JEXN22K | 01HC08N330JEXN22K ORIGINAL Y1Y2Y2 | 01HC08N330JEXN22K.pdf | |
![]() | S3AB-E3 | S3AB-E3 VISHAY DO-214AA | S3AB-E3.pdf | |
![]() | SN04-N | SN04-N SHRDQ/ SMD or Through Hole | SN04-N.pdf | |
![]() | M5M1004BJ-15 | M5M1004BJ-15 ORIGINAL SMD or Through Hole | M5M1004BJ-15.pdf | |
![]() | 148-11J12 | 148-11J12 COILCRAFTINC ORIGINAL | 148-11J12.pdf | |
![]() | B32926C3685K289 | B32926C3685K289 EPCOS DIP | B32926C3685K289.pdf | |
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![]() | KK160F160 | KK160F160 SANREX SMD or Through Hole | KK160F160.pdf | |
![]() | tsr2GTJ301V | tsr2GTJ301V TATEYAMA SMD or Through Hole | tsr2GTJ301V.pdf | |
![]() | VSOR1601472JTR | VSOR1601472JTR VISHAY NA | VSOR1601472JTR.pdf | |
![]() | RP312012 | RP312012 ORIGINAL DIP | RP312012.pdf |