창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STB23NM50N | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx23NM50N | |
기타 관련 문서 | STB23NM50N View All Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ II | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 8.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1330pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 125W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 497-10874-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STB23NM50N | |
관련 링크 | STB23N, STB23NM50N 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
GRM1556R1H100JZ01D | 10pF 50V 세라믹 커패시터 R2H 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1556R1H100JZ01D.pdf | ||
1N6468 | TVS DIODE 51.6VWM BPKG AXIAL | 1N6468.pdf | ||
CRGS0805J3K9 | RES SMD 3.9K OHM 5% 1/2W 0805 | CRGS0805J3K9.pdf | ||
0493004.NR | 0493004.NR Littelfus 1206 | 0493004.NR.pdf | ||
P1007LS12D | P1007LS12D WESTCODE SMD or Through Hole | P1007LS12D.pdf | ||
AP4532GM | AP4532GM AP SOP-8 | AP4532GM.pdf | ||
RM60CZ-M | RM60CZ-M MITSUBISHI SMD or Through Hole | RM60CZ-M.pdf | ||
C-7476-2 | C-7476-2 NIEC SMD or Through Hole | C-7476-2.pdf | ||
D8OC31 | D8OC31 ORIGINAL CDIP | D8OC31.pdf | ||
204YD/E | 204YD/E ORIGINAL SMD or Through Hole | 204YD/E.pdf | ||
FX8CA-60S-SV5(22) | FX8CA-60S-SV5(22) HRS SMD or Through Hole | FX8CA-60S-SV5(22).pdf | ||
K85-ED-9S-BR | K85-ED-9S-BR NS NULL | K85-ED-9S-BR.pdf |