창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STB21NK50Z | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STB21NK50Z | |
| 기타 관련 문서 | STB21NK50Z View All Specifications | |
| 제품 교육 모듈 | Automotive Grade Transistors and Discretes | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | SuperMESH™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 270m옴 @ 8.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 119nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 190W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 497-8767-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STB21NK50Z | |
| 관련 링크 | STB21N, STB21NK50Z 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | UHV0J102MPD1TD | 1000µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 6000 Hrs @ 105°C | UHV0J102MPD1TD.pdf | |
![]() | CRCW12101K00JNEA | RES SMD 1K OHM 5% 1/2W 1210 | CRCW12101K00JNEA.pdf | |
![]() | AA0603FR-0769K8L | RES SMD 69.8K OHM 1% 1/10W 0603 | AA0603FR-0769K8L.pdf | |
![]() | BH7600AFS | BH7600AFS ROHM SSOP | BH7600AFS.pdf | |
![]() | XC9536PC44 | XC9536PC44 XILINX SMD or Through Hole | XC9536PC44.pdf | |
![]() | 72V13081L15PFI | 72V13081L15PFI IDT SMD or Through Hole | 72V13081L15PFI.pdf | |
![]() | 1N5340DTR | 1N5340DTR MICROSEMI SMD | 1N5340DTR.pdf | |
![]() | TOP266YN | TOP266YN POWER DIP | TOP266YN.pdf | |
![]() | BD-8 | BD-8 N/A SOP | BD-8.pdf | |
![]() | UGB8JT | UGB8JT N/A TO-263 | UGB8JT.pdf | |
![]() | QS54FCT138ATQ | QS54FCT138ATQ QualitySemiconduc SMD or Through Hole | QS54FCT138ATQ.pdf |