창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STB21N90K5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx21N90K5 | |
기타 관련 문서 | STB21N90K5 View All Specifications | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | SuperMESH5™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 299m옴 @ 9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1645pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 497-12851-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STB21N90K5 | |
관련 링크 | STB21N, STB21N90K5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | C4520C0G3F120K085KA | 12pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.177" L x 0.079" W(4.50mm x 2.00mm) | C4520C0G3F120K085KA.pdf | |
![]() | 416F36023CSR | 36MHz ±20ppm 수정 시리즈 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F36023CSR.pdf | |
![]() | YC162-FR-07187RL | RES ARRAY 2 RES 187 OHM 0606 | YC162-FR-07187RL.pdf | |
![]() | CMF65931R00FKR611 | RES 931 OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF65931R00FKR611.pdf | |
![]() | AEDB-9340-T13C | MOD ENCODER 6CH 2000CPR 29MM | AEDB-9340-T13C.pdf | |
![]() | OCM408 | OCM408 OKI SOP8 | OCM408.pdf | |
![]() | A397S | A397S GE MODULE | A397S.pdf | |
![]() | 4GBU08 | 4GBU08 IR SMD or Through Hole | 4GBU08.pdf | |
![]() | W117SIP-6 | W117SIP-6 MGC SMD or Through Hole | W117SIP-6.pdf | |
![]() | RDL60V025 | RDL60V025 Protectronics 60V0.25A | RDL60V025.pdf | |
![]() | HCPL7860P | HCPL7860P AGILENT DIP-8SOP-8 | HCPL7860P.pdf |