STMicroelectronics STB200N6F3

STB200N6F3
제조업체 부품 번호
STB200N6F3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
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내부 부품 번호EIS-STB200N6F3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서STx200N6F3
카탈로그 페이지 1536 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체STMicroelectronics
계열STripFET™
포장컷 테이프(CT)
부품 현황단종
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C120A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs3.6m옴 @ 60A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs100nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds6800pF @ 25V
전력 - 최대330W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지D2PAK
표준 포장 1
다른 이름497-10025-1
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)STB200N6F3
관련 링크STB200, STB200N6F3 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통
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