창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STB18N55M5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ST(B,D,F,P)18N55M5 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ V | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 550V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 192m옴 @ 8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1260pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 110W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 497-11227-1 497-11227-5 497-11227-5-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STB18N55M5 | |
| 관련 링크 | STB18N, STB18N55M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | B88069X7240B502 | GDT 350V 20% 20KA T/H FAIL SHORT | B88069X7240B502.pdf | |
| BYT56M-TAP | DIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64 | BYT56M-TAP.pdf | ||
![]() | RT0603FRE07105RL | RES SMD 105 OHM 1% 1/10W 0603 | RT0603FRE07105RL.pdf | |
![]() | TNPW1206261KBEEN | RES SMD 261K OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW1206261KBEEN.pdf | |
![]() | HRG3216P-63R4-B-T1 | RES SMD 63.4 OHM 0.1% 1W 1206 | HRG3216P-63R4-B-T1.pdf | |
![]() | CMF60249R00FKEA | RES 249 OHM 1W 1% AXIAL | CMF60249R00FKEA.pdf | |
![]() | H843RFZA | RES 43.0 OHM 1/4W 1% AXIAL | H843RFZA.pdf | |
![]() | 4.7UF50 | 4.7UF50 ORIGINAL DIP | 4.7UF50.pdf | |
![]() | MB90F423GAPF | MB90F423GAPF fujitsu SMD or Through Hole | MB90F423GAPF.pdf | |
![]() | SJ3AR2UD | SJ3AR2UD SJ SMD or Through Hole | SJ3AR2UD.pdf | |
![]() | DF36A-40S-0.4V(52) | DF36A-40S-0.4V(52) HRS SMD | DF36A-40S-0.4V(52).pdf | |
![]() | LN7530PR | LN7530PR LN SOT-89-3L | LN7530PR.pdf |