창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STB180N55F3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ST(B,P)180N55F3 | |
카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.5m옴 @ 60A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 100nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6800pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 330W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 497-7939-2 STB180N55F3-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STB180N55F3 | |
관련 링크 | STB180, STB180N55F3 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
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![]() | CC0805JRNPO9BN910 | 91pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CC0805JRNPO9BN910.pdf | |
![]() | SMBJ150CA | TVS DIODE 150VWM 243VC DO214AA | SMBJ150CA.pdf | |
![]() | AISC-1812H-270K-T | 27µH Unshielded Wirewound Inductor 370mA 750 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | AISC-1812H-270K-T.pdf | |
![]() | CDRH125/LDNP-3R3NC | 3.3µH Shielded Inductor Nonstandard | CDRH125/LDNP-3R3NC.pdf | |
![]() | RT1206BRD0756KL | RES SMD 56K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRD0756KL.pdf | |
![]() | AZ150KE | RES 15 OHM 5.5W 10% RADIAL | AZ150KE.pdf | |
![]() | IMX10-HSC5 | IMX10-HSC5 LUCENT QFP | IMX10-HSC5.pdf | |
![]() | TNPW-12069.31K0.1%T-9R75 | TNPW-12069.31K0.1%T-9R75 ORIGINAL SMD or Through Hole | TNPW-12069.31K0.1%T-9R75.pdf | |
![]() | CBB81 153J1600V21R | CBB81 153J1600V21R HY DIP | CBB81 153J1600V21R.pdf | |
![]() | G4W-1114P-US-TVB | G4W-1114P-US-TVB OMRON SMD or Through Hole | G4W-1114P-US-TVB.pdf | |
![]() | GLOPS8 | GLOPS8 ST QFN | GLOPS8.pdf |