창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STB15NM65N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx15NM65N | |
| 카탈로그 페이지 | 1537 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ II | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 270m옴 @ 7.75A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 55nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1900pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 150W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 497-7936-2 STB15NM65N-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STB15NM65N | |
| 관련 링크 | STB15N, STB15NM65N 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | MKP1841247104M | 4700pF Film Capacitor 600V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.217" W (18.00mm x 5.50mm) | MKP1841247104M.pdf | |
![]() | SMA6J12CA-TR | TVS DIODE 12VWM 23.5VC SMA | SMA6J12CA-TR.pdf | |
![]() | MCA12060D1271BP100 | RES SMD 1.27K OHM 0.1% 1/4W 1206 | MCA12060D1271BP100.pdf | |
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![]() | CRCW0603191RFHEAP | RES SMD 191 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW0603191RFHEAP.pdf | |
![]() | MBB02070C1183FRP00 | RES 118K OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C1183FRP00.pdf | |
![]() | IMM66188C | Inductive Proximity Sensor 0.315" (8mm) IP67 Cylinder, Threaded - M18 | IMM66188C.pdf | |
![]() | SP620118 | SP620118 MICREL DFN-8 | SP620118.pdf | |
![]() | MB637219V | MB637219V Fujitsu SMD or Through Hole | MB637219V.pdf | |
![]() | PDTD123TT,215 | PDTD123TT,215 NXP Onlyoriginal | PDTD123TT,215.pdf | |
![]() | MSM538002E-IS | MSM538002E-IS OKI DIP-40 | MSM538002E-IS.pdf |