창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STB155N3H6 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ST(B,D)155N3H6 | |
기타 관련 문서 | STB155N3H6 View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | Automotive Grade Transistors and Discretes | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 62nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3650pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 497-11322-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STB155N3H6 | |
관련 링크 | STB155, STB155N3H6 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
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![]() | CS9326-CL | CS9326-CL SRYSTAL PLCC | CS9326-CL.pdf | |
![]() | S-80827CNUA-B8M-T2 | S-80827CNUA-B8M-T2 SEIKO SOT-89 | S-80827CNUA-B8M-T2.pdf | |
![]() | SGA-9289Z | SGA-9289Z SIRENZA SOT-89 | SGA-9289Z.pdf | |
![]() | AD5532ABCZ-1REEL | AD5532ABCZ-1REEL ADI SMD or Through Hole | AD5532ABCZ-1REEL.pdf | |
![]() | LM136AH-2.5/883C | LM136AH-2.5/883C NS SMD or Through Hole | LM136AH-2.5/883C.pdf |