창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STB155N3H6 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ST(B,D)155N3H6 | |
기타 관련 문서 | STB155N3H6 View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | Automotive Grade Transistors and Discretes | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 62nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3650pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 497-11322-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STB155N3H6 | |
관련 링크 | STB155, STB155N3H6 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | EEE-FK1A681AP | 680µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 105°C | EEE-FK1A681AP.pdf | |
![]() | BFC238550822 | 8200pF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | BFC238550822.pdf | |
![]() | RT0603BRD0739RL | RES SMD 39 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRD0739RL.pdf | |
![]() | IRKT56/16A | IRKT56/16A IR D-1 | IRKT56/16A.pdf | |
![]() | 1052403 | 1052403 n/a SOP32 | 1052403.pdf | |
![]() | SST39VF400A-70-4C- | SST39VF400A-70-4C- SST BGA | SST39VF400A-70-4C-.pdf | |
![]() | 2SJ315 /J315 | 2SJ315 /J315 Toshiba To-252 | 2SJ315 /J315.pdf | |
![]() | TDK////1812 104K/4 | TDK////1812 104K/4 TDK//// K/ SMD or Through Hole | TDK////1812 104K/4.pdf | |
![]() | ISL83086EIBZ-T | ISL83086EIBZ-T INTERSIL SMD or Through Hole | ISL83086EIBZ-T.pdf | |
![]() | AN77L05M-E1 / E5 | AN77L05M-E1 / E5 Panasonic SOT-89 | AN77L05M-E1 / E5.pdf | |
![]() | BB3500B | BB3500B BB CAN | BB3500B.pdf |