창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STB150NE55 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | STB150NE55 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | TO-263262 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | STB150NE55 | |
| 관련 링크 | STB150, STB150NE55 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | W1A2YC102MAT2A | 1000pF Isolated Capacitor 2 Array 16V X7R 0504 (1410 Metric) 0.054" L x 0.039" W (1.37mm x 1.00mm) | W1A2YC102MAT2A.pdf | |
![]() | BFC238352472 | 4700pF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.236" W (17.50mm x 6.00mm) | BFC238352472.pdf | |
![]() | SIT8008ACF1-18S | 1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 3.9mA Standby | SIT8008ACF1-18S.pdf | |
| 1217AS-H-470M=P3 | 47µH Shielded Wirewound Inductor 1.8A 204 mOhm Max 2-SMD | 1217AS-H-470M=P3.pdf | ||
![]() | RG1608V-8660-W-T1 | RES SMD 866 OHM 0.05% 1/10W 0603 | RG1608V-8660-W-T1.pdf | |
![]() | 4000POZBQ0 | 4000POZBQ0 intel BGA | 4000POZBQ0.pdf | |
![]() | BCM5241KMLG | BCM5241KMLG ORIGINAL BGA | BCM5241KMLG.pdf | |
![]() | LQW15AN9N1H00K | LQW15AN9N1H00K ORIGINAL SMD or Through Hole | LQW15AN9N1H00K.pdf | |
![]() | XC3S1000J-4FG676C | XC3S1000J-4FG676C XILINX BGA | XC3S1000J-4FG676C.pdf | |
![]() | MAX5945CAX | MAX5945CAX MAXIM WSOP36 | MAX5945CAX.pdf | |
![]() | NMC0603X7R682K50TRPF | NMC0603X7R682K50TRPF NIC SMD | NMC0603X7R682K50TRPF.pdf | |
![]() | PBSS302NX. | PBSS302NX. NXP SOT-89 | PBSS302NX..pdf |