STMicroelectronics STB120N4LF6
- 제조업체 부품 번호
- STB120N4LF6
- 제조업 자
- STMicroelectronics
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
STB120N4LF6 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 STB120N4LF6 재고가 있습니다. 우리는 STMicroelectronics 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 STMicroelectronics 전자 부품 전문. STB120N4LF6 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. STB120N4LF6가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- STB120N4LF6 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
STB120N4LF6 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-STB120N4LF6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx120N4LF6 | |
| 기타 관련 문서 | STB120N4LF6 View All Specifications | |
| 제품 교육 모듈 | Automotive Grade Transistors and Discretes | |
| 주요제품 | STripFET VI DeepGATE Series Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 40A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 80nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 110W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 497-11096-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STB120N4LF6 | |
| 관련 링크 | STB120, STB120N4LF6 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
STB120N4LF6 의 관련 제품
 | VJ0805D111GLPAT | 110pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D111GLPAT.pdf | |
 | GRM1556R1H8R7DZ01D | 8.7pF 50V 세라믹 커패시터 R2H 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1556R1H8R7DZ01D.pdf | |
 | PTN1206E8062BST1 | RES SMD 80.6K OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E8062BST1.pdf | |
 | 767161224GP | RES ARRAY 15 RES 220K OHM 16SOIC | 767161224GP.pdf | |
| LOJ | LOJ ORIGINAL BGA-14 | LOJ.pdf | |
| M5M27C102K | M5M27C102K MITSUBIS DIP40 | M5M27C102K.pdf | |
| LP3913SQ-AA/NOPB | LP3913SQ-AA/NOPB NS SMD or Through Hole | LP3913SQ-AA/NOPB.pdf | |
| GF06SB502M | GF06SB502M TOCOS SMD or Through Hole | GF06SB502M.pdf | |
| COP8622C-WEV/WM | COP8622C-WEV/WM ORIGINAL SOP | COP8622C-WEV/WM.pdf | |
| AS4C256K16F0-35JI | AS4C256K16F0-35JI ALLIANCE SOJ | AS4C256K16F0-35JI.pdf | |
| QMP06P03LV | QMP06P03LV NIKOS SOP8 | QMP06P03LV.pdf | |
| SI4936DY-TI | SI4936DY-TI SILICONIX SOP8 | SI4936DY-TI.pdf |