창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STB11NK40ZT4 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ST(B,P)11NK40Z(FP) | |
| 기타 관련 문서 | STB11NK40Z View All Specifications | |
| 카탈로그 페이지 | 1537 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | SuperMESH™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 550m옴 @ 4.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 930pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 110W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 497-7930-2 STB11NK40ZT4-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STB11NK40ZT4 | |
| 관련 링크 | STB11NK, STB11NK40ZT4 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 445C33A24M00000 | 24MHz ±30ppm 수정 10pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C33A24M00000.pdf | |
![]() | RT0805CRD073K6L | RES SMD 3.6K OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRD073K6L.pdf | |
![]() | P51-75-G-U-D-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 75 PSI (517.11 kPa) Vented Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-75-G-U-D-4.5OVP-000-000.pdf | |
![]() | XCS30XL-BG256 | XCS30XL-BG256 XILINX SMD or Through Hole | XCS30XL-BG256.pdf | |
![]() | NRB475M10R12 | NRB475M10R12 NEC SMD or Through Hole | NRB475M10R12.pdf | |
![]() | LTW-089E2CGN101B | LTW-089E2CGN101B LITEON white | LTW-089E2CGN101B.pdf | |
![]() | D78063GC502 | D78063GC502 NEC SOP | D78063GC502.pdf | |
![]() | ES6603SF | ES6603SF ESS QFP | ES6603SF.pdf | |
![]() | MAX1485ECSA+T | MAX1485ECSA+T MAX SMD | MAX1485ECSA+T.pdf |