창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STB100NF03L-03T4 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ST(B,P)100NF03L-03(-1) | |
| 제품 교육 모듈 | Automotive Grade Transistors and Discretes | |
| 카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ III | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 88nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 497-7929-2 STB100NF03L-03T4-ND STB100NF03L03T4 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STB100NF03L-03T4 | |
| 관련 링크 | STB100NF0, STB100NF03L-03T4 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | MT5C100B35 | MT5C100B35 MTC PDIP | MT5C100B35.pdf | |
![]() | SHC-180M | SHC-180M PREMO SMD | SHC-180M.pdf | |
![]() | PSN3118GDV | PSN3118GDV TI BGA | PSN3118GDV.pdf | |
![]() | F1328 | F1328 TOSHIBA IC | F1328.pdf | |
![]() | EZ1587CM/3.3V | EZ1587CM/3.3V ORIGINAL TO-263 | EZ1587CM/3.3V.pdf | |
![]() | M53203IB-I3 | M53203IB-I3 N/A TSOP | M53203IB-I3.pdf | |
![]() | C2012C18NJ | C2012C18NJ SAGAMI SMD or Through Hole | C2012C18NJ.pdf | |
![]() | 1K62 | 1K62 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1K62.pdf | |
![]() | 2N5210TAR | 2N5210TAR FSC SMD or Through Hole | 2N5210TAR.pdf | |
![]() | M58LW064C110N6F | M58LW064C110N6F ST TSOP | M58LW064C110N6F.pdf | |
![]() | TARR225M020RNJ | TARR225M020RNJ AVX R | TARR225M020RNJ.pdf | |
![]() | ZMM5227BD2 | ZMM5227BD2 VISHAY ORIGINAL | ZMM5227BD2.pdf |